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Technische Details BYG21M-E3/TR Vishay
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 30A Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SMA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.6V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 120ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 30A Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SMA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.6V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 120ns |
auf Bestellung 4343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 124262 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt |
auf Bestellung 32354 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 95400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG21M-E3/TR Produktcode: 83778 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG21M-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 120ns 2-Pin SMA T/R |
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