BYG22B-M3/TR Vishay General Semiconductor
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Technische Details BYG22B-M3/TR Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Weitere Produktangebote BYG22B-M3/TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BYG22B-M3/TR | Hersteller : Vishay |
 Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BYG22B-M3/TR | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BYG22B-M3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
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