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Technische Details BYG22D-E3/TR Vishay
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward voltage: 1.1V, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 25ns, Leakage current: 10µA, Kind of package: reel; tape, Type of diode: rectifying, Case: DO214AC; SMA, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated, Max. forward impulse current: 35A, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: DO214AC; SMA Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 35A Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: DO214AC; SMA Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 35A |
auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
auf Bestellung 69200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 14 |
auf Bestellung 29463 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
auf Bestellung 69574 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 3678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG22D-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 48790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG22D-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 61575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG22D-E3/TR | Hersteller : Vishay Semiconductor | Випрямний лавинний діод SMD; Io, A = 2; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,1; If, А = 2; trr, нс = 25 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 200; SMA |
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BYG22D-E3/TR Produktcode: 73603 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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