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BYG23T-M3/TR3

BYG23T-M3/TR3 Vishay General Semiconductor

byg23t.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A,1300V,75NS, AvalancheUFSMD RECT
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Technische Details BYG23T-M3/TR3 Vishay General Semiconductor

Description: DIODE AVALANCHE 1.3KV 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYG23T-M3/TR3 BYG23T-M3/TR3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg23t.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1.3KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
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BYG23T-M3/TR3 BYG23T-M3/TR3 Hersteller : Vishay byg23t.pdf Rectifier Diode Switching 1.3KV 1A 75ns 2-Pin SMA T/R
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