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Technische Details BYV26E-TAP Vishay
Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 2.5V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYV26, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote BYV26E-TAP nach Preis ab 0.27 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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BYV26E-TAP | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BYV26E-TAP | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 75ns |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM |
auf Bestellung 51237 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BYV26E-TAP | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
auf Bestellung 15031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 2,5; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1000; trr, нс = 75; Тексп, °C = -55...+175; SOD-57 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 |
auf Bestellung 2359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYV26E-TAP | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
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BYV26E-TAP Produktcode: 26386 |
Hersteller : NXP |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle Gehäuse: SOD-57 Vrr, V: 1000 Iav, A: 1 Trr, ns: 75 |
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