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BZD27B6V8P-M3-08

BZD27B6V8P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzd27b-mseries.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details BZD27B6V8P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V, Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V.

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BZD27B6V8P-M3-08 BZD27B6V8P-M3-08 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
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BZD27B6V8P-M3-08 BZD27B6V8P-M3-08 Hersteller : Vishay Semiconductors bzd27b-mseries-1090585.pdf Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
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