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BZD27B9V1P-M3-08

BZD27B9V1P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzd27b-mseries.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details BZD27B9V1P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V, Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V.

Weitere Produktangebote BZD27B9V1P-M3-08 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.99 EUR

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BZD27B9V1P-M3-08 BZD27B9V1P-M3-08 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V
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BZD27B9V1P-M3-08 BZD27B9V1P-M3-08 Hersteller : Vishay Semiconductors bzd27b_mseries-1767679.pdf Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
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