Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR > BZD27C180P R3G
BZD27C180P R3G

BZD27C180P R3G Taiwan Semiconductor

BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Zener Diodes Sub SMA, 1000mW, 6%, Zener Diode
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+1.14 EUR
55+ 0.96 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.42 EUR
1800+ 0.38 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BZD27C180P R3G Taiwan Semiconductor

Description: DIODE ZENER 179.5V 1W SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±6.4%, Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 179.5 V, Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms, Supplier Device Package: Sub SMA, Power - Max: 1 W, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 130 V.

Weitere Produktangebote BZD27C180P R3G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BZD27C180P R3G BZD27C180P R3G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 179.5V 1W SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.4%
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 179.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 130 V
Produkt ist nicht verfügbar