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BZT03C51-TAP

BZT03C51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzt03.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43VWM 70.8VC SOD57
Tolerance: ±5.88%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 39 V
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Technische Details BZT03C51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 43VWM 70.8VC SOD57, Tolerance: ±5.88%, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Supplier Device Package: SOD-57, Part Status: Active, Power - Max: 1.3 W, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 39 V.

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BZT03C51-TAP BZT03C51-TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 43VWM 70.8VC SOD57
Tolerance: ±5.88%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 39 V
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