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BZT52B3V9 RHG

BZT52B3V9 RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
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Technische Details BZT52B3V9 RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V, Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123F, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V.

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BZT52B3V9 RHG BZT52B3V9 RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
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