BZT52B3V9S RRG Taiwan Semiconductor
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Technische Details BZT52B3V9S RRG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-90, SOD-323F, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V, Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms, Supplier Device Package: SOD-323F, Power - Max: 200 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V.
Weitere Produktangebote BZT52B3V9S RRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BZT52B3V9S RRG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Diode Zener Single 3.9V 2% 200mW 2-Pin SOD-323F T/R |
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BZT52B3V9S RRG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.9V; 5mA; SMD; reel,tape; SOD323F; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.2W Zener voltage: 3.9V Zener current: 5mA Mounting: SMD Tolerance: ±2% Kind of package: reel; tape Case: SOD323F Semiconductor structure: single diode Leakage current: 2.7µA Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BZT52B3V9S RRG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V |
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BZT52B3V9S RRG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 200mW, 2%, Small Signal Zener Diode |
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BZT52B3V9S RRG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.9V; 5mA; SMD; reel,tape; SOD323F; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.2W Zener voltage: 3.9V Zener current: 5mA Mounting: SMD Tolerance: ±2% Kind of package: reel; tape Case: SOD323F Semiconductor structure: single diode Leakage current: 2.7µA |
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