BZT52B6V2 RHG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 4 V
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Technische Details BZT52B6V2 RHG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123F, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123F, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 4 V.
Weitere Produktangebote BZT52B6V2 RHG nach Preis ab 0.094 EUR bis 0.73 EUR
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BZT52B6V2 RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123F Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 4 V |
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BZT52B6V2 RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Zener Diodes 500mW, 2%, Small Signal Zener Diode |
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