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BZT52C3V9-G RHG

BZT52C3V9-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4-G SERIES_C2007.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 350MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
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Technische Details BZT52C3V9-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 3.9V 350MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±5%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V, Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 350 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V.

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BZT52C3V9-G RHG BZT52C3V9-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4-G SERIES_C2007.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 350MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
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BZT52C3V9-G RHG BZT52C3V9-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor bzt52c2v4-gseries_c2007.pdf Zener Diode Single 3.9V 5% 90Ohm 350mW 2-Pin SOD-123 T/R
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BZT52C3V9-G RHG BZT52C3V9-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor bzt52c2v4-gseries_c2007.pdf Diode Zener Single 3.9V 5% 350mW 2-Pin SOD-123 T/R
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BZT52C3V9-G RHG BZT52C3V9-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor BZT52C2V4-G SERIES_C2007.pdf Zener Diodes 350mW, 5%, Small Signal Zener Diode
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