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Technische Details C2M1000170D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote C2M1000170D nach Preis ab 8.58 EUR bis 27.48 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 20ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 20ns |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
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C2M1000170D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm |
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| C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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