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Technische Details C3M0016120D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V, Power Dissipation (Max): 556W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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C3M0016120D | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0016120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0016120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0016120D | Hersteller : Wolfspeed | MOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET |
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C3M0016120D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V |
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| C3M0016120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0016120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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