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C3M0060065D

C3M0060065D Wolfspeed

c3m0060065d.pdf Hersteller: Wolfspeed
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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Technische Details C3M0060065D Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V.

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C3M0060065D C3M0060065D Hersteller : Wolfspeed c3m0060065d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065D C3M0060065D Hersteller : Wolfspeed c3m0060065d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065D C3M0060065D Hersteller : Wolfspeed, Inc. C3M0060065D.pdf Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
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C3M0060065D C3M0060065D Hersteller : Wolfspeed C3M0060065D.pdf MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
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C3M0060065D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0060065D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
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C3M0060065D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0060065D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
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