C3M0065100K Wolfspeed
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Technische Details C3M0065100K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V.
Weitere Produktangebote C3M0065100K nach Preis ab 33.96 EUR bis 51.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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C3M0065100K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
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C3M0065100K | Hersteller : MACOM | MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 |
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C3M0065100K | Hersteller : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.5W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0065100K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 3478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0065100K Produktcode: 126113 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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C3M0065100K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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C3M0065100K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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C3M0065100K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns Reverse recovery time: 14ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 35nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C3M0065100K | Hersteller : Wolfspeed | MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 |
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C3M0065100K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns Reverse recovery time: 14ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 35A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 35nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT Case: TO247-4 |
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