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C3M0160120D

C3M0160120D Wolfspeed


c3m0160120d.pdf Hersteller: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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Technische Details C3M0160120D Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 97W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
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C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed, Inc. Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
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C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : WOLFSPEED 3993865.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0160120D
Produktcode: 167206
Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0160120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0160120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
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