Produkte > WOLFSPEED(CREE) > C3M0280090J
C3M0280090J

C3M0280090J Wolfspeed(CREE)


C3M0280090J-DTE.pdf Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.42 EUR
12+ 6.05 EUR
13+ 5.72 EUR
50+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details C3M0280090J Wolfspeed(CREE)

Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V.

Weitere Produktangebote C3M0280090J nach Preis ab 5.72 EUR bis 19.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0280090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.42 EUR
12+ 6.05 EUR
13+ 5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+9.06 EUR
100+ 7.27 EUR
250+ 6.86 EUR
500+ 5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : Wolfspeed C3M0280090J.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+19.11 EUR
10+ 16.38 EUR
50+ 14.85 EUR
100+ 13.65 EUR
250+ 12.84 EUR
500+ 12.04 EUR
1000+ 10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : MACOM C3M0280090J.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+19.11 EUR
10+ 16.38 EUR
50+ 14.85 EUR
100+ 13.65 EUR
250+ 12.84 EUR
500+ 12.04 EUR
1000+ 10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : Wolfspeed, Inc. C3M0280090J.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+19.47 EUR
10+ 16.68 EUR
100+ 13.9 EUR
500+ 12.27 EUR
1000+ 11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : WOLFSPEED C3M0280090J.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0280090J Hersteller : CREE C3M0280090J.pdf N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0280090J Hersteller : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0280090J C3M0280090J
Produktcode: 118894
C3M0280090J.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090J C3M0280090J Hersteller : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar