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Technische Details CAS120M12BM2 Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - CAS120M12BM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 193A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.
Weitere Produktangebote CAS120M12BM2 nach Preis ab 686.03 EUR bis 1318.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 7-Pin Box |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 925W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6470pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 120A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ) Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : MACOM |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - CAS120M12BM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 925W Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: -Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAS120M12BM2 Produktcode: 148154 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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| CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 7-Pin Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 138A; Half-Bridge Module Case: Half-Bridge Module Operating temperature: -40...125°C Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 925W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: C2M™; SiC; Z-Rec® Gate-source voltage: -5...20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 480A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CAS120M12BM2 | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 138A; Half-Bridge Module Case: Half-Bridge Module Operating temperature: -40...125°C Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 925W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: C2M™; SiC; Z-Rec® Gate-source voltage: -5...20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 480A |
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