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DB105-G

DB105-G Comchip Technology

qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Hersteller: Comchip Technology
Rectifier Bridge Diode Single 600V 1A 4-Pin Case DB Tube
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Technische Details DB105-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DB105-G DB105-G Hersteller : Comchip Technology DB101-G Thru318941. DB107-G RevC.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
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DB105-G DB105-G Hersteller : Comchip Technology DB101_G_Thru318809__DB107_G_RevC-2506429.pdf Bridge Rectifiers VR=600V, IO=1A
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DB105-G DB105-G Hersteller : Comchip Technology qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 1A 4-Pin Case DB Tube
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DB105-G DB105-G Hersteller : Comchip Technology qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 1A 4-Pin Case DB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
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DB105G Hersteller : GI db105g.pdf DIP-4
auf Bestellung 149 Stücke:
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DB105G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db106g.pdf Diode Rectifier Bridge Single 600V 1A 4-Pin Case DB
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DB105G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db105g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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DB105G DB105G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db105g-2450686.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A600P/420
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