DI006P02PW
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Technische Details DI006P02PW
Description: MOSFET, -20V, -6A, P, 2W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Supplier Device Package: 8-QFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis DI006P02PW ab 0 EUR bis 0 EUR
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DI006P02PW Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: DI006P02PW-DIO SMD P channel transistors 
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 Hersteller: DComponents Description: MOSFET, -20V, -6A, P, 2W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1242 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Supplier Device Package: 8-QFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR)
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