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DNBT8105-7

DNBT8105-7 Diodes Zetex

ds30513.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DNBT8105-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30513.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30513.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: bipolar
Frequency: 150MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30513.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: bipolar
Frequency: 150MHz
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30513.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30513.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
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870+ 0.18 EUR
1192+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 844
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456+0.35 EUR
516+ 0.3 EUR
562+ 0.26 EUR
844+ 0.17 EUR
870+ 0.16 EUR
1192+ 0.11 EUR
1880+ 0.066 EUR
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30513.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A
auf Bestellung 221446 Stücke:
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75+0.7 EUR
107+ 0.49 EUR
274+ 0.19 EUR
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3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.088 EUR
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Mindestbestellmenge: 75
DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30513.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
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34+0.78 EUR
48+ 0.55 EUR
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500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : DIODES INC. ds30513.pdf Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 802 Stücke:
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DNBT8105-7 DNBT8105-7 Hersteller : DIODES INC. ds30513.pdf Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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