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DPLS350E-13

DPLS350E-13 Diodes Incorporated

ds31230.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 50V 3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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Technische Details DPLS350E-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 50V 3A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

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DPLS350E-13 DPLS350E-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31230.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW -50Vceo
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DPLS350E-13 DPLS350E-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31230.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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DPLS350E-13 DPLS350E-13 Hersteller : Diodes Inc ds31230.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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