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DTC114ESA TP ROHM


Hersteller: ROHM
TO92
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Technische Details DTC114ESA TP ROHM

Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SC-72 Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SPT, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DTC114ESATP (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 37807
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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DTC114ESATP DTC114ESATP Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114ee.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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DTC114ESATP Hersteller : ROHM Semiconductor 105821-1201482.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
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