DXT458P5-13 Diodes Zetex
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Technische Details DXT458P5-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DXT458P5-13 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.19 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DXT458P5-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R |
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DXT458P5-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R |
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DXT458P5-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R |
auf Bestellung 350000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT458P5-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2.8 W |
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DXT458P5-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2.8 W |
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DXT458P5-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA |
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DXT458P5-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DXT458P5-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DXT458P5-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R |
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