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ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H ON Semiconductor


1518ena2185-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
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Technische Details ECH8690-TL-H ON Semiconductor

Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Hersteller : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Hersteller : onsemi ENA2185_D-2311584.pdf MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Hersteller : onsemi ena2185-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Hersteller : ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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ECH8690-TL-H Hersteller : ONSEMI ena2185-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.7/-3.5A
On-state resistance: 55/94mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: ECH8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Hersteller : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Hersteller : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Hersteller : onsemi ena2185-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
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ECH8690-TL-H Hersteller : ONSEMI ena2185-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.7/-3.5A
On-state resistance: 55/94mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: ECH8
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