Technische Details EFC4612R-TR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - EFC4612R-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote EFC4612R-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC4612R-TR | Hersteller : Rochester Electronics, LLC |
 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET |
auf Bestellung 625000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
 |
EFC4612R-TR | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EFC4612R-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: EFCP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 660000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |