EL817(M)(C)-VG
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Technische Details EL817(M)(C)-VG
Description: OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm), Output Type: Transistor, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 110°C, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V, Input Type: DC, Current - Output / Channel: 50mA, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA, Vce Saturation (Max): 200mV, Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA, Supplier Device Package: 4-DIP, Voltage - Output (Max): 80V, Rise / Fall Time (Typ): 6µs, 8µs, Part Status: Active, Number of Channels: 1, Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA.
Preis EL817(M)(C)-VG ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Everlight Electronics Co Ltd Description: OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm) Output Type: Transistor Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 110°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V Input Type: DC Current - Output / Channel: 50mA Voltage - Isolation: 5000Vrms Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA Vce Saturation (Max): 200mV Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA Supplier Device Package: 4-DIP Voltage - Output (Max): 80V Rise / Fall Time (Typ): 6µs, 8µs Part Status: Active Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA 
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