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EM6K1T2R

EM6K1T2R Rohm Semiconductor

em6k1.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin EMT T/R
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Technische Details EM6K1T2R Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: EMT6, Part Status: Not For New Designs.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EM6K1T2R EM6K1T2R Hersteller : Rohm Semiconductor EM6K1_RevC.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
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EM6K1T2R EM6K1T2R Hersteller : Rohm Semiconductor EM6K1_RevC.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
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