EM6K6T2R Rohm Semiconductor
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Technische Details EM6K6T2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7, Anzahl der Pins: 6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-563, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 150, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, Verlustleistung, p-Kanal: 150, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7, Dauer-Drainstrom Id: 300, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote EM6K6T2R nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R |
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R |
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W |
auf Bestellung 17007 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7 Anzahl der Pins: 6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-563 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 150 Drain-Source-Spannung Vds: 20 Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 Verlustleistung, p-Kanal: 150 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7 Dauer-Drainstrom Id: 300 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7 Verlustleistung, p-Kanal: 150 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 35142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM | 10+ EMT6 |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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EM6K6 T2R | Hersteller : ROHM | SOT26/SOT363 |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR | EM6K6T2R Multi channel transistors |
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
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