ES1AL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1AL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Technische Details ES1AL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1AL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1A, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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