ES1DL R3G Taiwan Semiconductor Corporation
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Technische Details ES1DL R3G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Sub-SMA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1D, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote ES1DL R3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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ES1DL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier |
auf Bestellung 10282 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ES1DL R3G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1DL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
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