ES1JHM2G

ES1JHM2G

ES1JHM2G

Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns Automotive 2-Pin SMA T/R
es1ah20series_a2102.pdf
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Technische Details ES1JHM2G

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Standard, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

Preis ES1JHM2G ab 0 EUR bis 0 EUR

ES1JHM2G
ES1JHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect
TWSC_S_A0001030468_1-2522518.pdf
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ES1JHM2G
ES1JHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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