ES3GHE3_A/I
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Technische Details ES3GHE3_A/I
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Diode Type: Standard, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50ns, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 400V, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division, Base Part Number: ES3G.
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 Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Diode Type: Standard Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V Current - Average Rectified (Io): 3A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50ns Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 400V Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division Base Part Number: ES3G 
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