F475R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 600V 100A 275W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 275 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V
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|---|---|
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Technische Details F475R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F475R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 275W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 275W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPACK 1B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote F475R06W1E3BOMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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F475R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 275000mW 15-Pin EASY1B-1 Tray |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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F475R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F475R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 275W euEccn: NLR Verlustleistung: 275W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: EasyPACK 1B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| F475R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A Type of module: IGBT Case: AG-EASY1B-1 Power dissipation: 275W Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor Mechanical mounting: screw Technology: EasyPACK™ 1B Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Pulsed collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Max. off-state voltage: 0.6kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| F475R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A Type of module: IGBT Case: AG-EASY1B-1 Power dissipation: 275W Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor Mechanical mounting: screw Technology: EasyPACK™ 1B Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Pulsed collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Max. off-state voltage: 0.6kV |
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