FB30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 600V 39A 115W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 115 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
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| 1+ | 108.42 EUR |
| 24+ | 96.6 EUR |
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Technische Details FB30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 39A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 115W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FB30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FB30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 39 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 39A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 115W euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 39A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FB30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Power Module |
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FB30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Power Module |
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FB30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Power Module |
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FB30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Case: AG-EASY1B-1 Power dissipation: 115W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FB30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
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FB30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Case: AG-EASY1B-1 Power dissipation: 115W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A |
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