FCB20N60TM

FCB20N60TM

FCB20N60TM

Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
FCB20N60_D-2311611.pdf
verfügbar/auf Bestellung
auf Bestellung 297 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+ 12.12 EUR
10+ 10.92 EUR
25+ 10.32 EUR
100+ 8.94 EUR

Technische Details FCB20N60TM

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Base Part Number: FCB20N60, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D²PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis FCB20N60TM ab 8.94 EUR bis 12.12 EUR

FCB20N60TM
Hersteller: ONSEMI
Material: FCB20N60TM SMD N channel transistors
FCB20N60-D.PDF fcb20n60-d.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
FCB20N60TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
570076065192290fcb20n60.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
Hersteller: ONSEMI
Material: FCB20N60TM SMD N channel transistors
FCB20N60-D.PDF fcb20n60-d.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
FCB20N60TM
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
FCB20N60_D-2311611.pdf
auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FCB20N60TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
FCB20N60-D.PDF fcb20n60-d.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
FCB20N60-D.PDF fcb20n60-d.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
fcb20n60-d.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi
Description: FCB20N60 - N-CHANNEL, SUPERFET,
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FCB20N60-D.PDF
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
fcb20n60-d.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
FCB20N60TM
FCB20N60TM
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Base Part Number: FCB20N60
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D²PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
FCB20N60-D.PDF
auf Bestellung 928 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)