FCB20N60TM
verfügbar/auf Bestellung
auf Bestellung 297 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 297 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Technische Details FCB20N60TM
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Base Part Number: FCB20N60, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D²PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis FCB20N60TM ab 8.94 EUR bis 12.12 EUR
|
FCB20N60TM Hersteller: ONSEMI Material: FCB20N60TM SMD N channel transistors 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
FCB20N60TM Hersteller: ONSEMI Material: FCB20N60TM SMD N channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET HIGH POWER
|
auf Bestellung 20 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
FCB20N60TM Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
FCB20N60TM Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: onsemi Description: FCB20N60 - N-CHANNEL, SUPERFET, Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Base Part Number: FCB20N60 Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: D²PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
|
auf Bestellung 928 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|