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FCH029N65S3-F155

FCH029N65S3-F155 onsemi


FCH029N65S3_D-2311675.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247
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Technische Details FCH029N65S3-F155 onsemi

Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FCH029N65S3-F155 FCH029N65S3-F155 Hersteller : ONSEMI 3168453.pdf Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FCH029N65S3-F155 Hersteller : ON Semiconductor fch029n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
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FCH029N65S3-F155 Hersteller : ONSEMI fch029n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH029N65S3-F155 FCH029N65S3-F155 Hersteller : onsemi fch029n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 201 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 400 V
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FCH029N65S3-F155 Hersteller : ONSEMI fch029n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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