FCH060N80-F155 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14685 pF @ 100 V
auf Bestellung 864 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 41.52 EUR |
| 10+ | 36.6 EUR |
| 450+ | 28.69 EUR |
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Technische Details FCH060N80-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 58, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FCH060N80-F155 nach Preis ab 28.83 EUR bis 41.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FCH060N80-F155 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SuperFET2 800V |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FCH060N80-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCH060N80-F155 Produktcode: 158569 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FCH060N80-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCH060N80-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| FCH060N80-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.27µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 174A Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FCH060N80-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.27µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 174A Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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