FCP11N60N-F102

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Hersteller: ON Semiconductor
N-Channel SupreMOS® MOSFET
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Technische Details FCP11N60N-F102

Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F, Part Status: Obsolete, Packaging: Tube, Supplier Device Package: TO-220F, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack.

Preis FCP11N60N-F102 ab 0 EUR bis 0 EUR

FCP11N60N-F102
Hersteller: ON Semiconductor
N-Channel SupreMOS® MOSFET
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FCP11N60N-F102
FCP11N60N-F102
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET FCP11N60N, in TO220 F102 T/F option
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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