FCP125N60E ON Semiconductor
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Technische Details FCP125N60E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 29, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FCP125N60E nach Preis ab 3.49 EUR bis 14.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FCP125N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP125N60E | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V |
auf Bestellung 1053 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCP125N60E | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive |
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| FCP125N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCP125N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCP125N60E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 29 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 278 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 278 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCP125N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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