FCP16N60N ON Semiconductor
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Technische Details FCP16N60N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 134.4, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134.4, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FCP16N60N nach Preis ab 3.8 EUR bis 15.05 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FCP16N60N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FCP16N60N | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V |
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FCP16N60N | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET SupreMOS 16A |
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FCP16N60N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 134.4 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 134.4 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FCP16N60N | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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