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FCP850N80Z

FCP850N80Z onsemi / Fairchild

FCP850N80Z_D-2311680.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
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Technische Details FCP850N80Z onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.

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FCP850N80Z FCP850N80Z Hersteller : onsemi fcp850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
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FCP850N80Z FCP850N80Z Hersteller : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP850N80Z Hersteller : ON Semiconductor fcp850n80z-d.pdf ONSM-S-A0003584675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FCP850N80Z FCP850N80Z Hersteller : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP850N80Z FCP850N80Z Hersteller : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP850N80Z FCP850N80Z Hersteller : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP850N80Z FCP850N80Z Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
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