FCPF2250N80Z

FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor


FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
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Technische Details FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V.

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FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Hersteller : onsemi fcpf2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
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FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Hersteller : onsemi / Fairchild FCPF2250N80Z_D-2311779.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
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FCPF2250N80Z Hersteller : ON Semiconductor FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf2250n80z-d.pdf
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FCPF2250N80Z Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCPF2250N80Z - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Hersteller : ON Semiconductor 3678476305798774fcpf2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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