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FCPF290N80

FCPF290N80 ON Semiconductor

3676195491111440fcpf290n80.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FCPF290N80 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V.

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FCPF290N80 FCPF290N80 Hersteller : ON Semiconductor 3676195491111440fcpf290n80.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FCPF290N80 FCPF290N80 Hersteller : onsemi / Fairchild FCPF290N80_D-2312047.pdf MOSFET SuperFET2 800V 290 mOhm
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
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FCPF290N80 Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCPF290N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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