FCPF600N65S3R0L onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 463+ | 1.56 EUR |
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Technische Details FCPF600N65S3R0L onsemi
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCPF600N65S3R0L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FCPF600N65S3R0L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF600N65S3R0L | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm |
auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FCPF600N65S3R0L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF600N65S3R0L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 196230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF600N65S3R0L | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCPF600N65S3R0L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCPF600N65S3R0L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V |
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