FDA18N50 Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 169+ | 4.27 EUR |
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Technische Details FDA18N50 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 239W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDA18N50 nach Preis ab 3.24 EUR bis 5.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FDA18N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDA18N50 | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ TO3P |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDA18N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 56250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDA18N50 Produktcode: 37766 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDA18N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA18N50 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA18N50 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11.4A; Idm: 76A; 239W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11.4A Pulsed drain current: 76A Power dissipation: 239W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |