FDA59N30 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V
auf Bestellung 246 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 9.98 EUR |
| 30+ | 7.91 EUR |
| 120+ | 6.78 EUR |
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Technische Details FDA59N30 onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 29.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDA59N30 nach Preis ab 5.36 EUR bis 10.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDA59N30 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V NCH MOSFET |
auf Bestellung 1252 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDA59N30 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA59N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 59 A, 0.047 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm |
auf Bestellung 1448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA59N30 Produktcode: 99422 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDA59N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA59N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA59N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA59N30 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDA59N30 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 35A Pulsed drain current: 236A Power dissipation: 500W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDA59N30 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 35A Pulsed drain current: 236A Power dissipation: 500W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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