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FDB3652

FDB3652 VBSemi

fdb3652-datasheet.pdf
Produktcode: 155755
Hersteller: VBSemi
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
JHGF: SMD
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+2.42 EUR
34+ 2.14 EUR
41+ 1.74 EUR
44+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDB3652 FDB3652 Hersteller : ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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41+ 1.74 EUR
44+ 1.66 EUR
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDB3652 FDB3652 Hersteller : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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FDB3652 FDB3652 Hersteller : onsemi / Fairchild FDP3652_D-2312532.pdf MOSFET N-Channel PowerTrench
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T157-52 Kern
Produktcode: 23608		 T.pdf
T157-52 Kern
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 39,9/24,1/14,5
Beschreibung: Kern T39,9/24,1/14,5 Iron Powder AL=99nH
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
auf Bestellung 22 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.92 EUR
10+ 1.54 EUR
22uF 50V EZV SMD sizeC (EZV220M50RC)
Produktcode: 23411		 EZV_070829.pdf
22uF 50V EZV SMD sizeC (EZV220M50RC)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EZV-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size C
Макс.пульс.струм: 165mA
verfügbar: 614 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.12 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.066 EUR
1000+ 0.06 EUR
UC3843BN
Produktcode: 4077		 UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers Von=8.4V Vof=7.6V Verhältnis 100% 0+70С 1A 8,2-30V 500kHz
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 307 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
2,2nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=5,8mm (HF3A222Z-L516B-Hitano)
Produktcode: 2382		 ClassII_070726.pdf
2,2nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=5,8mm (HF3A222Z-L516B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 1000V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=5,8mm
Part Nummer: HF3A222Z-L516B
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 3376 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.044 EUR
100+ 0.023 EUR
1000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10
220uF 50V EXR 10x16mm (EXR221M50B-Hitano)
Produktcode: 2008		 EXR_080421.pdf
220uF 50V EXR 10x16mm (EXR221M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 822 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.2 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.092 EUR